主要从事宽禁带半导体光电子器件研究，瞄准应用对器件性能的需求，从外延材料、器件物理的角度进行原始创新，从源头突破器件性能的瓶颈。

面向泛在智能显示和互联对GaN基LED高分辨和高速调制的新需求，针对传统InGaN量子阱二维结构有源区存在的应变大、极化强、载流子复合速率慢等不足，创新发展InGaN量子点零维结构有源区，以关键材料制备、物理机理突破、核心器件实现为着力点，重点解决大失配材料系量子点生长动力学和低维量子结构中载流子输运复合机理及调控等关键科学问题，提升LED在小尺寸下的发光效率和调制响应速率等性能，取得了一系列关键技术突破和创新性成果。主要成果概述如下：

（1）基于产业化外延技术创新发展了生长中断法、交替通断源法，实现高质量InGaN量子点自组织生长。

（2）系统阐述了LED尺寸微缩过程中的器件参数设计准则并构建了LED尺寸效应的物理模型，利用量子点的局域特性实现发光效率国际领先的Micro-LED显示器件。

（3）基于量子点有源区研制出国际上调制带宽最高的Micro-LED通信光源，并以此为基础实现了传输距离和数据率综合性能领先的可见光通信系统。

  和华为、OPPO、三安光电等多家龙头企业开展产学研合作，促进成果的转移转化。担任国防科技创新团队带头人，获评国防科工局科学挑战英才、首届半导体青年学术之星等荣誉。2022年获得国家杰出青年基金资助。